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G2314

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description The G2314 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The G2314 is universally used for all commercial-industrial applications. Features * Capable of 2.5V gate drive * Low on-resistance

GTM

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G2314

Break-Away Bumpers

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KR

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Bourns

伯恩斯

G2314产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    G2314

  • 制造商

    GTM

  • 制造商全称

    GTM

  • 功能描述

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

更新时间:2025-10-13 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GTM
24+
NA/
9250
原装现货,当天可交货,原型号开票
GTM
25+
GTM
3250
原装正品,假一罚十!
GTM
24+
SOT-23
880000
明嘉莱只做原装正品现货
GTM
20+
SOT-23
12517
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
GTM
23+
SOT-23
50000
原装正品 支持实单
GTM
新年份
GTM
3250
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!
G2320C219-002
15920
15920
GTM
25+
SOT-23
35196
GTM全新特价G2314即刻询购立享优惠#长期有货
GTM
16+
GTM
3250
进口原装现货/价格优势!
GTM
25+
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2800
原装现货!可长期供货!

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  • G219R-D3,G28F640J5-150,G571S1,G6CH-1G8425-L224-R,

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    G2R-1-12V ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-4-16
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    概述 在G2995是一个线性稳压器设计,以满足JEDEC SSTL- 2和SSTL- 3(系列存根终止逻辑)的DDR- SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器,可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR- SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚,G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压,无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此,电力消耗满足低功耗的应用。

    2013-1-29