型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
G2312

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G2312 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

G2312

20V N Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

G2312

Break-Away Bumpers

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Heyco

G2312

Break-Away Bumpers

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Heyco

Nylon Hose Clamps

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Heyco

Bandpass Filter

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KR

Pneumatic muffler

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FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

High Current Toroid Inductors

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Bourns

伯恩斯

High Current Toroid Inductors

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Bourns

伯恩斯

G2312产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    G2312

  • 制造商

    GETWIRELESS

  • 功能描述

    2G CELLULAR GATEWAY

更新时间:2025-10-14 16:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
量大可定GTM
25+
SOT-23
12000
原装正品,假一罚十!
GTM
GTM
3250
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
GTM
19+
GTM
200000
GTM
23+
SOT-23
50000
只做原装正品
GTM
25+
SOT-23
2800
原装现货!可长期供货!
G2320C219-002
15920
15920
GTM
24+
SOT-23
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
GTM
24+
GTM
3250
原装现货假一赔十
GTM
24+
SOT-23
98000
原装现货假一罚十
TI
2025+
TSSOP14
3750
全新原厂原装产品、公司现货销售

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    https://hch01.114ic.com/

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  • G2401CG

    G2401CG,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-10
  • G219R-D3,G28F640J5-150,G571S1,G6CH-1G8425-L224-R,

    G219R-D3,G28F640J5-150,G571S1,G6CH-1G8425-L224-R,

    2020-2-26
  • G2R-1-12V

    G2R-1-12V ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • G20N50C公司原装现货/随时可以发货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-4-16
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    概述 在G2995是一个线性稳压器设计,以满足JEDEC SSTL- 2和SSTL- 3(系列存根终止逻辑)的DDR- SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器,可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR- SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚,G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压,无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此,电力消耗满足低功耗的应用。

    2013-1-29