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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

丝印代码:G13P04;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G13P04S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

-40V P Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

G13P产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration:

    P channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    -40V

  • Id at 25℃(max):

    -13A

  • PD(max):

    2.5W

  • Vgs(th)typ(V):

    -2V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    12mΩ

  • Qg(nC):

    40

  • Ciss:

    2800

  • Crss:

    220

更新时间:2026-5-22 11:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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