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G120P03S2

丝印代码:G120P03;DUAL P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G120P03S2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

G120P03S2

-30V P+P Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

G120P03S2产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration:

    P channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    -30V

  • Id at 25℃(max):

    -16A

  • PD(max):

    1.4W

  • Vgs(th)typ(V):

    -1.5V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    11mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    15mΩ

  • Qg(nC):

    35

  • Ciss:

    2835

  • Crss:

    324

更新时间:2026-7-30 20:23:00
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