金属机壳

宽光谱响应范围，近红外（0.5~1.7 μm）图像传感器

G11608系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。G11608系列包括对短波长增强灵敏度的铟镓砷光电二极管阵列和内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器的CMOS芯片。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率（CE），以满足不同的应用需要。

线阵近红外（0.95~1.7 μm）图像传感器 制冷型，单视频线：256像素

G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同，G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。

Single video line (128/256/512 pixels) near infrared image sensor (0.95 to 1.7 關m)

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Low Cost, 1W MiniDIP Single & Dual Output DC/DC Converters

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G100E Series

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G100EI SERIES

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Low Cost, 1W MiniDIP High Isolation DC/DC Converters

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Rectifier diodes Schottky barrier

GENERAL DESCRIPTION Dual schottky rectifier diodes intended for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies. The BYV116 series is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package. The BYV116B series is supplied in the SOT404 surface mounting p

General Purpose Silicon Rectifier

Description: The NTE116 is a general purpose silicon rectifier in a DO–41 case designed for low power and switching applications.

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 1.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)

POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)

DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS