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MRFG35010R1中文资料

厂家型号

MRFG35010R1

文件大小

373.7Kbytes

页面数量

11

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF

数据手册

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简称

FREESCALE飞思卡尔

生产厂商

Freescale Semiconductor, Inc

中文名称

飞思卡尔半导体官网

MRFG35010R1数据手册规格书PDF详情

3.5 GHz, 10 W, 12 V POWER FET GaAs PHEMT

Designed for WLL/MMDS or UMTS driver applications with frequencies from 1800 to 3600 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or Class A linear base station applications.

• Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts, IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A @ 0.01 Probability)

Output Power — 1 Watt

Power Gain — 10 dB

Efficiency — 30

• 10 Watts P1dB @ 3550 MHz

• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

MRFG35010R1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFG35010R1

  • 功能描述

    TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-10-9 13:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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