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General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.

Features

• 3.3A, 200V, RDS(on)= 1.5Ω@VGS= 10 V

• Low gate charge ( typical 7.2 nC)

• Low Crss ( typical 6.8 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

IRF610B供应商...

更新时间：2025-11-29 10:11:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	IRF610B	IR	24+	TO-220-3	8866		询价
深圳市星佑电子有限公司	IRF610B	仙童	05+	TO-220	5000	原装进口	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRF610B	IR	15+	TO-220	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
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