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General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.

Features

• 3.3A, 200V, RDS(on)= 1.5Ω@VGS= 10 V

• Low gate charge ( typical 7.2 nC)

• Low Crss ( typical 6.8 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

IRF610B供应商...

更新时间：2026-1-30 8:48:00

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