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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FZ1600R17KE3 | IGBT-inverter 文件：255.22 Kbytes Page：8 Pages | eupec |   | |
FZ1600R17KE3 | IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter 文件：413.3 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
FZ1600R17KE3 | IGBT模块 | Infineon 英飞凌 | | |
IGBT-modules 文件：266.72 Kbytes Page：8 Pages | eupec | | ||
封装/外壳：模块 包装：托盘托盘 描述：IGBT MODULE 1700V 1600A 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1700V 2300A 8950W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | |
FZ1600R17KE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
FZ1600R17KE3
- 功能描述
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 2.3KA
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-11-23 9:40:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FZ1600R17KE3规格书下载地址
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