型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FX6ASJ-3

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 150 V • rDS(ON) (max) : 0.53 Ω • ID : – 6 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns

RENESAS

瑞萨

FX6ASJ-3

Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................ –150V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 0.53Ω • ID ..................................................................... –6A • Integrated Fast Recovery Diode

POWEREX

FX6ASJ-3

HIGH-SPEED SWITCHING USE

HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................ –150V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 0.53Ω • ID ..................................................................... –6A • Integrated Fast Recovery Diode

MITSUBISHI

三菱电机

FX6ASJ-3

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件:379.4 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

FX6ASJ-3

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 150 V • rDS(ON) (max) : 0.53 Ω • ID : – 6 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns

RENESAS

瑞萨

FX6ASJ-3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FX6ASJ-3

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

更新时间:2026-3-16 18:53:00
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