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MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapp

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
更新时间:2024-6-5 22:30:01
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