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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
AM04N65	MOSFET650V,4AN-CHANNEL FEATURE •RDS(ON),typ.=2.1Ω@VGS=10V •HighCurrentRating •LowerCapacitance •LowerTotalGateChargeMinimizeSwitchingLoss •FastRecoveryBodyDiode DESCRIPTION TheAM04N65isavailableinTO220FPackage. APPLICATION •Adaptor •Charger •SMPSStandbyPower	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
CEB04N65	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB04N65A	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED04N65	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,3.2A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
04N65	N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.97664 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

FTU04N65C供应商更多...

更新时间：2024-6-5 22:58:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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FTR-110-51-S-D-06-TR
优势渠道
2023-9-26
FUSB301ATMX
原装正品支持实单
2023-8-14
FTM61112HFCN-晶振销售
FTM61112HFCN-晶振销售
2020-9-18
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2020-5-25
FUJI富士IGBT模块6MBP15XSD060-50原装现货
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2020-3-13
FUSB251UCX
FUSB251Type-C?CC和SBU保护IC 安森美半导体的FUSB251在上电复位后关闭CC和SBU开关，并提供有效的VDD电源
2019-8-22