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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■650V,1.2A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 650V,0.9A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET
更新时间:2024-6-5 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税
CET
2022
TO220/3
2058
原厂原装正品,价格超越代理
CET
21+
TO-220F
865
原装现货假一赔十
CET/華瑞
22+
TO-220
9800
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
CET
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
CET
23+
TO-220F
6000
原装正品,支持实单
CET
23+
TO220/3
7000
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!
CET
23+
TO220/3
8000
全新原装现货,欢迎来电咨询
CET
03+
TO2203
1855
CET
2212+
TO-220F
13378
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