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FT03P10E

Plastic-Encapsulate MOSFETS

GENERAL DESCRIPTION This FT03P10E use advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURE High density cell design for ultra low RDS(ON) Fully characterized avalanche voltage and current Excellent p

GWSEMI

唯圣电子

更新时间:2025-8-17 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MQTSUKI松木
24+
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590
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
MQTSUKI松木
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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