丝印代码：FSL136MR；Green Mode Power Switch

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Green Mode Fairchild Power Switch (FPS??

Description The FSL136MR integrated Pulse Width Modulator (PWM) and SenseFET is specifically designed for high performance offline Switch-Mode Power Supplies (SMPS) with minimal external components. FSL136MR includes integrated high-voltage power switching regulators that combine an avalanche-r

650V 集成电源开关，带 67kHz 频率和可调电流限值，用于 20W 离线反激转换器

FSL136MR 集成脉宽调制器 (PWM) 和 SenseFET，它专为采用最少外部组件的高性能离线式开关电源 (SMPS) 而设计。FSL136MR 包括将雪崩耐用SenseFET 与电流模式 PWM 控制模块相结合的集成式高电压功率开关调节器。 集成的PWM控制器特性包括：提供欠压锁定 (UVLO) 保护、前沿消隐 (LEB)、实现 EMI 衰减的频率生成器、优化的栅极导通/关断驱动器、热关断 (TSD) 保护以及用于环路补偿和故障保护电路的温度补偿精确电流源。FSL136MR 提供了出色的软启动性能。与分立式 MOSFET 和控制器或 RCC 开关转换器解决方案相比，FSL136MR • 耐雪崩的内部 SenseFET (650 V) \n• 在 265 VAC、空载条件并处于间歇模式时，待机功耗低于 50 mW\n• 精确的固定工作频率，可提供频率调节来实现 EMI 衰减 \n• 内部启动电路 \n• 内置软启动：15 ms\n• 逐脉冲限流\n• 提供各种保护：过压保护 (OVP)、过载保护(OLP)、输出短路保护 (OSP)、异常过流保护 (AOCP)、 带滞回的内部热关断功能 (TSD)\n• 自动重启模式 \n• 欠压锁定 (UVLO) \n• 低工作电流：1.8 mA\n• 可调节峰值限流;

封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP 集成电路（IC） AC DC 转换器，离线开关

带有异常 OCP 功能 的 650 V 集成电源开关，用于 35 W 离线反激式转换器

FSL136MRT是集成式脉宽调制(PWM)控制器和SenseFET，专门设计用于外部组件最少的离线式开关模式电源(SMPS)。PWM控制器包括集成式固定频率振荡器、欠压锁定(UVLO)、前沿消隐(LEB)、优化的栅极驱动器、内部软启动、用于环路补偿的温度补偿精密电流源和自保护电路。与离散式MOSFET和PWM控制器解决方案相比，FSL136MRT可在降低总成本、组件数、尺寸以及重量的同时提高效率、生产率和系统可靠性。此器件提供适用于经济高效的反激式转换器设计的基本平台。 • 内部耐雪崩650V SenseFET\n• 低待机功率和低声频噪声的高级软间歇模式运行\n• 电磁干扰小的随机频率波动\n• 逐脉冲限流 \n• 各种保护功能：过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、异常过流保护(AOCP)、带滞后的内部热关断(TSD)和带滞后的欠压锁定(UVLO)\n• 间歇模式下具有低工作电流(0.4mA)\n• 内部启动电路 \n• 内置软启动：15ms\n• 自动重启模式;

Green-Mode Fairchild Power Switch (FPS??

Description The FSL136MRT is an integrated Pulse Width Modulation (PWM) controller and SenseFET specifically designed for offline Switch-Mode Power Supplies (SMPS) with minimal external components. The PWM controller includes an integrated fixed-frequency oscillator, Under-Voltage Lockout (UVLO

封装/外壳：TO-220-6 全封装，成形引线 包装：管件 描述：IC OFFLINE SW FLBACK TO220F-6L 集成电路（IC） AC DC 转换器，离线开关

N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs . . . designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications up to 400 MHz range, in either single ended or push–pull configuration. • Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance MRF136

POWER TRANSISTORS(8.0A,60-100V,70W)

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 8.0 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 70 WATTS

2.5V REFERENCE DIODE

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2.5V REFERENCE DIODE, GUARANTEED TO 100K RADSi TESTED TO MIL-STD-883, METHOD 1019.5

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2.5V REFERENCE DIODE, GUARANTEED TO 100K RADSi TESTED TO MIL-STD-883, METHOD 1019.5

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