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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FSEZ1216BNY

Primary-Side-Regulation PWM Integrated Power MOSFET

Description This highly integrated PWM controller provides several features to enhance the performance of low-power flyback converters. The proprietary topology enables most simplified circuit design especially for battery charger applications. A low-cost, smaller, and lighter charger results whe

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

1216

Multi-channel data acquisition

Up to 16 unipolar analog input channels Up to 12-bit resolution with 0.5 accuracy Up to 4 software configurable digital output lines Up to 1 MS/s sample rate USB connected and powered Complete with ready-to-go data logging software Includes API and examples for C/C++/C#, VB, LabVIEW VIs

PICO

Pico Technology Ltd.

1216

HIGH TEMPERATURE SERIES

文件：314.46 Kbytes Page：1 Pages

ASSUN

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STANDARD SERIES

文件：241.69 Kbytes Page：1 Pages

ASSUN

1216

HIGH TEMPERATURE SERIES

文件：275.19 Kbytes Page：1 Pages

ASSUN

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Variable RF Inductor

文件：446.53 Kbytes Page：2 Pages

YANTEL

研通高频

FSEZ1216BNY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FSEZ1216BNY

  • 功能描述

    MOSFET Prim Side Contr PWM Contr w/Power MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

FSEZ1216BNY供应商更多...

更新时间：2025-10-4 16:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市胜彬电子有限公司
FSEZ1216NY
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深圳市赛特兴科技有限公司
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
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深圳市创盛芯科技有限公司
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FSEZ1216BNY规格书下载地址

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    说明 FSD200和FSD210的集成脉宽调制器（PWM）和场效应晶体管感特别设计的高性能离线开关电源（SMPS）最少的外部元件。这两款器件是单片电路高压开关稳压电源相结合一个有意识的LDMOS FET的电压模式的PWM控制块。集成PWM控制器的功能包括：与固定频率调制振荡器可降低电磁干扰，低电压锁定（UVLO）保护，前沿消隐（LEB），优化门turn-on/turnoff司机，热关机保护（TSD），温度补偿回路补偿精密电流源和故障保护电路。相较于离散MOSFET和控制器或RCC开关转换器解决方案，FSD200和FSD210降低总元件计数，设计尺寸，重量，并在同一时间提高效

    2013-3-11

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