位置：首页 > IC中文资料第439页 > FQPF2N30
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQPF2N30 | 300V N-Channel MOSFET 300V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD 仙童半导体 |   | |
300V N-Channel MOSFET Features • 2.1A, 300V, RDS(on) = 3.7Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 3.7 nC) • Low Crss ( typical 3.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
300V N-Channel MOSFET
| FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
300V N-Channel MOSFET Features • 2.1A, 300V, RDS(on) = 3.7Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 3.7 nC) • Low Crss ( typical 3.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
300V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are product using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
300V N-Channel MOSFET
| FAIRCHILD 仙童半导体 | |
FQPF2N30产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQPF2N30
- 功能描述
MOSFET 300V N-Channel QFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
25+ |
TO-220F-3 |
18746 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
onsemi(安森美) |
25+ |
TO-220F-3 |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
TO-220F |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
03+ |
TO-220F |
2000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FAIRCHI |
25+ |
TO220 |
659 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
TO-220 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
06+ |
TO-220 |
599 |
||||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
FSC |
24+ |
TO-220 |
1526 |
全新原装环保 |
FQPF2N30规格书下载地址
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2019-4-15
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