位置：首页 > IC中文资料第1292页 > FQPF11N40T
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
400V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The 11N40uses UTC’s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)= 0.52Ω@VGS= 10 V * Ultr | UTC 友顺 |   | ||
FQP11N40C / FQPF11N40C N-Channel QFET짰 MOSFET 400 V, 10.5 A, 530 m廓 Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av | Fairchild 仙童半导体 | | ||
400V N-Channel MOSFET
| Fairchild 仙童半导体 | | ||
11.4A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：244.91 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
400V N-Channel MOSFET-T 文件：2.39982 Mbytes Page：8 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | |
FQPF11N40T产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQPF11N40T
- 功能描述
MOSFET 400V N-Ch QFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
中性 |
连接头 |
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