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位置：首页 > IC中文资料第4446页 > FQD1N60TM

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FQD1N60TM

600VN-ChannelMOSFET

文件：549.28 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
1N60

GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE

GermaniumGlassDiode Features •GermaniumGlassDiode •RoHSCompliance

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
1N60

SiliconAvalancheDiodes-1500WattMetalAxialLeadedTransientVoltageSuppressors

FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Bi-directional MAXIMUMRATING •PeakPulsePower(Ppk):15000Watts(10x1000µs)@25°C(seedi

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse
1N60

SchottkyBarrierDiode

Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar

FORMOSAFormosa MS

美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司

FORMOSA
1N60

JEDECDO-7PACKAGE

JEDECDO-7PACKAGE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1
1N60

1.2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC1N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpow

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

FQD1N60TM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQD1N60TM

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

FQD1N60TM供应商更多...

更新时间：2025-6-5 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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FQD1N60TMMOS(场效应管)
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FQD1N61CTM
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TO253
10000
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