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位置：首页 > IC中文资料第1274页 > FQD1N60CTF

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1N60

GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE

GermaniumGlassDiode Features •GermaniumGlassDiode •RoHSCompliance

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
1N60

SiliconAvalancheDiodes-1500WattMetalAxialLeadedTransientVoltageSuppressors

FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Bi-directional MAXIMUMRATING •PeakPulsePower(Ppk):15000Watts(10x1000µs)@25°C(seedi

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse
1N60

SchottkyBarrierDiode

Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar

FORMOSAFormosa MS

美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司

FORMOSA
1N60

JEDECDO-7PACKAGE

JEDECDO-7PACKAGE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1
1N60

1.2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC1N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpow

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

FQD1N60CTF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQD1N60CTF

  • 功能描述

    MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

FQD1N60CTF供应商更多...

更新时间：2025-7-25 20:17:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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深圳市联世界科技有限公司
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TO-92
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深圳市永贝尔科技有限公司
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1N60G-AB3-R
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1N60
LL34
23+
NA
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深圳市力拓辉电子有限公司
1N60
ST
22+
1206
5000
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
1N60G-AA3-R
友顺 UTC
23+
SOT-223
41330
原装正品，实单请联系
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FQD1N60CTF芯片相关品牌

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