FQB34P10TM价格

参考价格:¥5.9801

型号:FQB34P10TM 品牌:Fairchild 备注:这里有FQB34P10TM多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FQB34P10TM批发/采购报价,FQB34P10TM行情走势销售排行榜,FQB34P10TM报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQB34P10TM

P-Channel Power MOSFET

Application + DC/DC Converter Portable equipment and battery « Power Switch

TECHPUBLIC

台舟电子

FQB34P10TM

100V P-Channel MOSFET

文件:1.20275 Mbytes Page:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=-33.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 60mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Switched mode power supplies,audio amplifier, DC motor control,and variable switching power applications.

ISC

无锡固电

100V P-Channel MOSFET

文件:717.12 Kbytes Page:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

P-Channel QFET MOSFET

文件:526.41 Kbytes Page:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQB34P10TM_F085: 100V P-Channel MOSFET -33.5A, 60mΩ

ONSEMI

安森美半导体

-33.5A, -100V, RDS(on) = 0.06廓 @VGS = -10 V

文件:1.20275 Mbytes Page:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FQB34P10TM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQB34P10TM

  • 功能描述

    MOSFET 100V P-Channel QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-28 23:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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30000
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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1983
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