功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，1000 V，8.0 A，1.45 Ω，TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •8 A、1000 V、RDS(on)= 1.45 Ω（最大值），需 VGS = 10 V、ID = 4 A栅极电荷低（典型值：53nC)\n•低 Crss（典型值16pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

isc N-Channel MOSFET Transistor

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1000V N-Channel MOSFET

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IXGA8N100

Features • International standard packages JEDEC TO-220AB and TO-263AA • Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC choppers • Uninterruptible power supplies

IXGA8N100

Features • International standard packages JEDEC TO-220AB and TO-263AA • Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC choppers • Uninterruptible power supplies

1000V N-Channel MOSFET

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