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IXGA8N100

IXGA8N100

Features • International standard packages JEDEC TO-220AB and TO-263AA • Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC choppers • Uninterruptible power supplies

IXYS

艾赛斯

IXGA8N100

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1000V 16A 54W TO263 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

N-Channel MOSFET

FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.45Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:469.92 Kbytes Page:4 Pages

DACO

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:342.84 Kbytes Page:4 Pages

DACO

1000V N-Channel MOSFET

文件:693.64 Kbytes Page:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:323.52 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IXGA8N100产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGA8N100

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 16 Amps 1000V 2.7 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-16 11:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
22+
TO-263AA
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
原装正品
23+
TO-263
67805
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IXYS
23+
TO-263
8000
只做原装现货
NA
25+
原厂原封可拆样
54687
百分百原装现货 实单必成
IXYS
22+
TO263 (IXGA)
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
IGBTTO-26
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
IXYS/艾赛斯
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
24+
8866
IXYS
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样

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