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FQA7N80价格

参考价格：￥5.9449

型号：FQA7N80C_F109 品牌：Fairchild 备注：这里有FQA7N80多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FQA7N80批发/采购报价，FQA7N80行情走势销售排行榜，FQA7N80报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQA7N80

800V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA7N80

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=7.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.9Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

FQA7N80

800V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

FQA7N80

800V N-Channel MOSFET

文件：773.54 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA7N80C

800V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA7N80C_F109

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 7 A, 1.9 Ω, TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •7A, 800V, RDS(on)= 1.9Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.5A栅极电荷低（典型值：27nC)\n•低 Crss（典型值10pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体

FQA7N80_06

800V N-Channel MOSFET

文件：773.54 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA7N80_F109

800V N-Channel MOSFET

文件：773.54 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA7N80C

MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

ONSEMI

安森美半导体

FQA7N80C

800V N-Channel MOSFET

文件：791.72 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA7N80C

800V N-Channel MOSFET

文件：798.36 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA7N80C_06

800V N-Channel MOSFET

文件：791.72 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA7N80C_07

800V N-Channel MOSFET

文件：798.36 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA7N80C_F109

800V N-Channel MOSFET

文件：798.36 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA7N80C_F109

800V N-Channel MOSFET

文件：791.72 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQB7N80

800V N-Channel MOSFET

Features • 6.6A, 800V, RDS(on) = 1.5Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 40 nC) • Low Crss ( typical 19 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

FAIRCHILD

仙童半导体

FQI7N80

800V N-Channel MOSFET

Features • 6.6A, 800V, RDS(on) = 1.5Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 40 nC) • Low Crss ( typical 19 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

FAIRCHILD

仙童半导体

FQP7N80

800V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

FAIRCHILD

仙童半导体

FQPF7N80

800V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

FAIRCHILD

仙童半导体

MTW7N80E

TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM

TMOS E−FET Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMO

MOTOROLA

摩托罗拉

FQA7N80产品属性

  • 类型

    描述

  • Compliance：

    Pb-freeHalide free

  • Status：

     Active  

  • Description：

     N-Channel QFET® MOSFET 800V

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

     

  • V(BR)DSS Min (V)：

    800

  • VGS Max (V)：

    ±30

  • VGS(th) Max (V)：

    5

  • ID Max (A)：

    7

  • PD Max (W)：

    198

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    1900

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    27

  • Ciss Typ (pF)：

    1290

  • Package Type：

    TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

FQA7N80供应商更多...

更新时间：2026-5-14 22:59:00
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onsemi(安森美)
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FQA7N80
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25+
TO-3P
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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FQA7N80A
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TO-3P
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深圳市华斯顿科技有限公司
FQA7N80
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深圳市恒达亿科技有限公司
FQA7N80
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司
FQA7N80
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