位置：首页 > IC中文资料第848页 > FQA7N65C
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQA7N65C | 650VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
7Amps,650Volts7Amps,650Volts DESCRIPTION TheUTC7N65isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability | CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
650VN-ChannelPowerMOSFET Features ●RDS(ON) | DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司 |  | | |
7.4Amps,650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：180.91 Kbytes Page：6 Pages | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
FQA7N65C产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQA7N65C
- 功能描述
MOSFET N-CH/600V 8.7A/1OHM
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
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TO-3PN |
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2019-9-17
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