FQA65N20价格

参考价格:¥14.8742

型号:FQA65N20 品牌:Fairchild 备注:这里有FQA65N20多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FQA65N20批发/采购报价,FQA65N20行情走势销售排行榜,FQA65N20报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQA65N20

200V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

Fairchild

仙童半导体

FQA65N20

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=65A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =32mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

ISC

无锡固电

FQA65N20

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,200 V,65 A,32 mΩ,TO-3P

ONSEMI

安森美半导体

N-CHANNEL MOSFET

文件:862.2 Kbytes Page:8 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

N-CHANNEL MOSFET

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

FQA65N20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQA65N20

  • 功能描述

    MOSFET 200V N-Channel QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
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