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FQA36P15_V01

P-Channel QFET® MOSFET -150 V, -36 A, 90 mΩ

Features -36 A, -150 V, RDS(on) = 90 mΩ (Max) @VGS = -10 V, ID = -18 A Low Gate Charge (Typ. 81 nC) Low Crss (Typ. 110 pF) 100% Avalanche Tested 175°C Maximum Junction Temperature Rating Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconducto

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

更新时间:2025-9-28 14:04:00
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