| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Low RDS(on) • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Switch Mode Power Supply ( | VBSEMI 微碧半导体 |   | ||
25A 500V N-channel enhanced field effect transistor 文件：978.81 Kbytes Page：6 Pages | YFWDIODE 佑风微 | | ||
This new power MOSFET realized the low switching loss and low switching noise 文件：495.6 Kbytes Page：2 Pages | Fuji 富士通 | | ||
THINKISEMI 20A,500V N-CHANNEL PLANAR STRIPE POWER MOSFETs 文件：1.81261 Mbytes Page：7 Pages | THINKISEMI 思祁半导体 | | ||
Power switch circuit of adaptor and charger. 文件：648.54 Kbytes Page：9 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BOURNS/伯恩斯 |
15+ROHS |
SMD |
493900 |
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BOURNS/伯恩斯 |
23+ |
SMT |
79000 |
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BOURNS/伯恩斯 |
24+ |
SMD1210 |
66730 |
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BOURNS/伯恩斯 |
2447 |
SMD |
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BOURNS |
24+ |
1210 |
7350 |
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BOURNS/伯恩斯 |
19+ |
SMD |
84000 |
原装现货 |
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BOURNS |
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电感器 |
2000 |
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Microchip/微芯 |
25+ |
30000 |
原装正品,现货优势 |
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BOURNS/伯恩斯 |
2223+ |
SMD |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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MITSUBISHI |
23+ |
标准封装 |
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2019-9-17
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