型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQA19N20L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.14Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

FQA19N20L

200V LOGIC N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA19N20L

200V LOGIC N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

200V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:299.49 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

200V N-Channel MOSFET-M

文件:5.07505 Mbytes Page:10 Pages

FOSTER

福斯特半导体

200V N-Channel MOSFET-T

文件:2.3194 Mbytes Page:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FQA19N20L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQA19N20L

  • 功能描述

    MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-1 17:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
FAI
23+
TO-3P
5500
现货,全新原装
FAIRCHILD
24+
TO-247TO-3PTO-3PF
8866
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-3P
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
三年内
1983
只做原装正品
ON(安森美)
2447
TO-3PN
105000
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
FSC
24+
TO-3P
3026
全新原装环保现货
FAIRCHILD/仙童
21+
TO-3P
1709
ONSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应

FQA19N20L数据表相关新闻