型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FQA19N20L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.14Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

FQA19N20L

200V LOGIC N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

200V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:299.49 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

200V N-Channel MOSFET-M

文件:5.07505 Mbytes Page:10 Pages

FOSTER

福斯特半导体

200V N-Channel MOSFET-T

文件:2.3194 Mbytes Page:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FQA19N20L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQA19N20L

  • 功能描述

    MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-9 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
488
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-3P
140
原装正品,假一罚十!
FAIRCHILD/仙童
20+
TO-3PN
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
FSC
04+
TO-3P
300
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRC
23+
TO-3P
7300
专注配单,只做原装进口现货
FAI
23+
TO-3P
5500
现货,全新原装
FAIRCHILD
24+
TO-247TO-3PTO-3PF
8866
FAIRCHIL
1738+
TO-3P
8529
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!
FSC
22+
TO-3P
5000
全新原装现货!自家库存!
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势

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