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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FPF2C110BI07AS2 | F2, Boost and Inverter module with Press-fit 文件：1.2755 Mbytes Page：13 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FPF2C110BI07AS2 | 封装/外壳：30-DIP 模块 包装：散装 描述：IGBT MODULE 650V 40A 300W F2 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FPF2C110BI07AS2 | Power Integrated Module (PIM), F2, SiC Diode + MOSFET + IGBT, 650 V | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-9-19 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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onsemi(安森美) |
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