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FN1006D5

N-ChannelEnhancementMOSFET

Features VDS=100V,ID=100A RDS(ON)=5.3mΩ@VGS=10V(typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd .

唯聖電子唯聖電子有限公司

GWSEMI
更新时间:2024-6-17 10:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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