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FMXB-2102

Fast Recovery Diode with built-in SBD for temperature detection

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SANKEN

三垦

FMXB-2102

Fast Recovery Diode with built-in SBD for temperature detection

SANKEN

三垦

Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns

Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha

NTE

SYSTEM RESET IC

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NJRC

日本无线

SYSTEM RESET IC

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NJRC

日本无线

FMXB-2102产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FMXB-2102

  • 制造商

    SANKEN

  • 制造商全称

    Sanken electric

  • 功能描述

    Fast Recovery Diode with built-in SBD for temperature detection

更新时间:2026-3-17 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SK
2026+
TO220F-2
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原装正品,假一罚十!
SANKEN
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TO-220F
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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