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Compact&ComplexModule

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)powermodulesprovidelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.Theyaredesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhereshortci

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

TransferMoldedTypeIGBTModule

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FMM7G50US60N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FMM7G50US60N

  • 功能描述

    IGBT 模块 600V 50A Module

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-8-1 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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FUJI/富士电机系列在售
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2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货

FMM7G50US60N芯片相关品牌

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