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Compact & Complex Module

General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power modules provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. They are designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short ci

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Transfer Molded Type IGBT Module

文件:923.63 Kbytes Page:10 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FMM7G50US60I产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FMM7G50US60I

  • 功能描述

    IGBT 模块 600V 50A Module

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-8-10 20:44:02
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