| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=68A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
SurgeClamping,TransientOvervoltageSuppressorBidirectional Description: TheNTE4900seriesofsiliconTransientSuppressorsdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighenergyvoltagetransients.Transientovervoltagesuppressordeviceshavebecomeveryimportantasaconsequenceoftheirhighsurgecapability,extremelyfastresponsetime | NTE NTE Electronics |  | | |
LouveredPlugs 文件：153.72 Kbytes Page：1 Pages | HeycoHeyco. 海科 |  | | |
Multi-ChannelBERT12.5Gb/s 文件：2.44678 Mbytes Page：12 Pages | KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司 |  | | |
PowerMOSFET30V,68A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK 文件：118.08 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NTE5056A |
96 |
96 |
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