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MICROWAVEPOWERGaAsFET

FEATURES ・BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ・HIGHPOWER P1dB=42.0dBmat13.75GHzto14.5GHz ・HIGHGAIN G1dB=7.0dBat13.75GHzto14.5GHz ・LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-42dBc(Min.)atPout=30dBm(SingleCarrierLevel) ・HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-6-1 15:24:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
22+
780
原装现货假一赔十
TOSHIBA/东芝
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
TOSHIBA
18+
TO
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
TOSHIBA
2018+
SMD
1680
一级代理原装进口现货
TOSHIBA
2308+
原厂原包
6850
十年专业专注 优势渠道商正品保证
TOSHIBA/东芝
23+
15
现货供应
TOSHIBA/东芝
21+
15000
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量!
TOSHIBA/东芝
2021+
3000
十年专营原装现货,假一赔十
TOSHIBA(东芝)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
TOSHIBA东芝
24+23+
2-11C1B
12580
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