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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G200N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

Power MOSFET

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IXYS

Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

更新时间:2025-8-9 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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