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FHD15N10A

MOS(场效应管)

FeihongGuangzhou Feihong Semiconductor Technology Co., Ltd

飞虹广州飞虹半导体科技有限公司

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 15N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. Application Battery switch DC/DC converter

TUOFENG

拓锋半导体

14.7A, 100V (D-S) N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 15N10is an N-Channel enhancement MOSFET, it uses UTC’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The UTC 15N10is suitable for high efficiency switching DC/DC converter, LCD display inverter and l

UTC

友顺

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迪一电子

更新时间:2025-11-2 14:30:00
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