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FGPF50N30T

300V, 50A PDP IGBT

General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High current capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.4V @ IC

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGPF50N30T

300V, 50A PDP IGBT

ONSEMI

安森美半导体

300V, 50A PDP IGBT

General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High current capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.4V @ IC

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 300V 46.8W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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无锡固电

FGPF50N30T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGPF50N30T

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    300V, 50A PDP IGBT

更新时间:2025-9-29 13:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-220F
60000
全新原装现货
FAIRCHILD/仙童
24+
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TO-220F
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FAIRCHILD
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FSC/ON
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800
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
FAIRCHI
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IXYS/艾赛斯
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