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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGPF120N30

300V, 120A PDP IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

FGPF120N30

300V, 120A PDP IGBT

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 300V 120A 60W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current : ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 25mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·motor drive, D

ISC

无锡固电

GigaMOS Power MOSFET

GigaMOS™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International Standard Packages • High Current Handling Capability • Fast Intrinsic Diode • Avalanche Rated • Low RDS(on) Advantages • Easy to Mount • Space Savings • High Power Density A

IXYS

艾赛斯

GigaMOS Power MOSFET

GigaMOS™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International Standard Packages • High Current Handling Capability • Fast Intrinsic Diode • Avalanche Rated • Low RDS(on) Advantages • Easy to Mount • Space Savings • High Power Density A

IXYS

艾赛斯

300V PDP IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

FGPF120N30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGPF120N30

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    300V, 120A PDP IGBT

更新时间:2026-5-20 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
25+
TO-220F-3
20948
样件支持,可原厂排单订货!
onsemi(安森美)
25+
TO-220F-3
21000
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TO-220F
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TO252(DPAK)
69820
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24+
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VISHAY/威世
2019
DO-204AL
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