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FF650R17IE4价格

参考价格：￥3467.1100

型号：FF650R17IE4 品牌：Infineon 备注：这里有FF650R17IE4多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FF650R17IE4批发/采购报价，FF650R17IE4行情走势销售排行榜，FF650R17IE4报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
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FF650R17IE4DB2BOSA1	封装/外壳：模块包装：散装描述：IGBT MODULE 1700V 4150W 分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FF650R17IE4DP_B2	PrimePACK??ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 文件：621 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FF650R17IE4DPB2BOSA1	封装/外壳：模块包装：散装描述：IGBT MODULE 1700V 650A 分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FF650R17IE4P	PrimePACK??ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 文件：617.7 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FF650R17IE4V	PrimePACK??ModulundNTC 文件：1.74776 Mbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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FF650R17IE4产品属性

类型
描述
型号
FF650R17IE4
功能描述
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 930A
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作温度
+ 125 C
封装/箱体
34MM

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更新时间：2024-4-30 22:50:00

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