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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FF300R12ME3 | EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode 文件：299.55 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
FF300R12ME3 | EconoDUAL Modul mit Trench 文件：486.16 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
FF300R12ME3 | 1200 V、300 A 双IGBT模块 | Infineon 英飞凌 | | |
EconoDUAL Modul mit Trench 文件：486.16 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 500A 1450W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | |
FF300R12ME3产品属性
- 类型
描述
- 型号
FF300R12ME3
- 功能描述
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 500A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-9-28 11:11:00
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2019-10-21
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