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FDWS86380

N-Channel PowerTrench MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 13.5mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

更新时间:2025-8-7 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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