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N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS= 150V, ID= 20 A RDS(ON)

Bychip

百域芯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID =14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.12Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:251.05 Kbytes Page:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:251.05 Kbytes Page:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-30 20:00:01
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