30V N-Channel PowerTrench SyncFET

General Description The FDS6699S is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6699S includes an integrated Schottky diode

N 沟道 PowerTrench® SyncFET™，30V，21A，3.6mΩ

FDS6699S设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6699S包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 •21A、30V\n•RDS(ON) = 3.6 mΩ @ VGS = 10V\n•RDS(ON) = 4.5 mΩ @ VGS = 4.5 V\n•包含SyncFET肖特基体二极管\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)和快速开关\n•高功率和高电流处理能力\n•100%通过RG（栅极电阻）测试;

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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5-Channel Precision Temperature Monitor

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