80V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Features • 6.5 A, 80 V RDS(ON) = 0.037 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.043 Ω @ VGS = 6 V • Low gate char

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，6.5A，39mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。 •6.5 A, 80 V\n•RDS(on) = 39 mΩ（VGS = 10 V 时）\n•RDS(on) = 44 mΩ（VGS = 6 V）\n•低栅极电荷\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力;

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Application « LED Backlighting Synchronous Rectifiers for SMPS o Power management PWM Application

COMMON MODE CHOKE

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HIGH EFFICIENCY & ULTRA BRIGHT NUMERICS?

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N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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