FDP80N06价格

参考价格:¥4.0803

型号:FDP80N06 品牌:Fairchild 备注:这里有FDP80N06多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDP80N06批发/采购报价,FDP80N06行情走势销售排行榜,FDP80N06报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDP80N06

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 33A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.09mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

FDP80N06

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,60 V,80 A,10 mΩ,TO-220

ONSEMI

安森美半导体

FDP80N06

N-Channel MOSFET

文件:453.42 Kbytes Page:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

Fast Switching Speed

文件:67.88 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.28925 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:1.40473 Mbytes Page:8 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

FDP80N06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDP80N06

  • 功能描述

    MOSFET 60V N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-1 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
2026+
TO-220
54805
原装正品,假一罚十!
onsemi(安森美)
25+
TO-220
11543
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
FAIRCHILD/仙童
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TO220
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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TO-220
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VSSOP8
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仙童
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TO-220
26000
原装正品,假一罚十
三年内
1983
只做原装正品

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