DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，400V，19A，240mΩ，TO-220

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。 •RDS(on) = 200mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 9.5A\n•低栅极电荷（典型值 32nC） \n•低 Crss（典型值 20pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•符合 RoHS 标准;

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：306.06 Kbytes Page：2 Pages

N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24廓

文件：264.41 Kbytes Page：9 Pages

N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24廓

文件：232.99 Kbytes Page：8 Pages

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.24Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24廓

文件：264.41 Kbytes Page：9 Pages

Power switch circuit of electron ballast and adaptor

文件：445.34 Kbytes Page：9 Pages

丝印代码：GD19N40LZ；Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

文件：1.06591 Mbytes Page：17 Pages