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N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 62A, 13.5mΩ Features •rDS(ON)= 11.5mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID= 62A •Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge •Low QRRBody Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • Mot

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID =62A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 13.5mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB

ONSEMI

安森美半导体

FDP13AN06A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDP13AN06A

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз

更新时间:2025-12-27 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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