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N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,62A,13.5mohm

N-ChannelPowerTrench®MOSFET60V,62A,13.5mΩ Features •rDS(ON)=11.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=62A •Qg(tot)=22nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •Mot

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=62A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=13.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

FDP13AN06A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDP13AN06A

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз

更新时间:2025-7-24 15:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC/ON
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原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
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10000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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