isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=195A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.1mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，193A，3.2mΩ

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 2.6mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 193A, 3.2m?

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，195A，3.1mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 2.67mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 100A\n•低 FOM RDS(on)*QG\n•低反向恢复电荷，Qrr = 78nC\n•反向恢复软体二极管\n•使能高效同步整流\n•快速开关速度\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 195A, 3.1m

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丝印代码：PY；4V Drive Nch MOSFET

■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 193A, 3.2mW

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Nch 60V 3A Power MOSFET

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