FDN5632N价格

参考价格:¥1.0769

型号:FDN5632N_F085 品牌:Fairchild 备注:这里有FDN5632N多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDN5632N批发/采购报价,FDN5632N行情走势销售排行榜,FDN5632N报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

丝印代码:5632;N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 1.6 A, 98 m廓

Features - RDS(on) = 98 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A - RDS(on) = 82 mΩ at VGS = 10 V, ID = 1.7 A - Typ Qg(TOT) = 9.2 nC at VGS = 10 V - Low Miller Charge - UIS Capability - Qualified to AEC Q101 - RoHS Compliant Applications - DC/DC converter - Motor Drives

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET 60V, 1.6A, 98m廓

文件:267.41 Kbytes Page:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

ONSEMI

安森美半导体

TRIAC - 10 Amp

Description: The NTE5631 through NTE5637 series of TRIACs are high performance glass passivated PNPN devices in a TO220 type package designed for general purpose applications where moderate gate sensitivity is required.

NTE

Dual, High Output, Programmable Gain Buffer

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NSC

国半

Dual, High Output, Programmable Gain Buffer

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NSC

国半

Dual, High Output, Programmable Gain Buffer

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NSC

国半

Dual, High Output, Programmable Gain Buffer

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NSC

国半

FDN5632N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDN5632N

  • 功能描述

    MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-16 11:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GC
2026+
SOT-23
30975
原装正品,假一罚十!
ON
23+
SOT23-3
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
ON(安森美)
2511
标准封装
8000
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ON(安森美)
25+
标准封装
8000
原装,请咨询
ON/安森美
2025+
SOT-23
5000
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ON/安森美
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SOT-23
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SOT-23
16297
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SOT23
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